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武田 全康
no journal, ,
一般に固体, 液体, 気体に限らず、異なる物質が接する界面は様々な機能発現の場であり、その機能と界面構造が密接に結びついている。スピントロニクスに関係する巨大磁気抵抗効果や交換磁気異方性も数nmから数10nmの厚さの強磁性薄膜と非磁性薄膜、あるいは、反強磁性薄膜との間の接合界面で起こる現象である。中性子をプローブとする反射率法は、磁気構造も含むこれらの磁性多層膜の厚さ方向の構造変化を非破壊的に知ることのできる優れた実験手法であり、中性子反射率法による数多くの磁性多層膜の研究が行われてきた。本講演、偏極中性子反射率法の原理を説明するとともに、典型的な実験例をいくつか示した後、国内で利用することが可能な中性子反射率計について紹介する。